[发明专利]一种离子阱在审
申请号: | 202010645038.X | 申请日: | 2020-07-07 |
公开(公告)号: | CN113921162A | 公开(公告)日: | 2022-01-11 |
发明(设计)人: | 段路明;梅全鑫 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | G21K1/00 | 分类号: | G21K1/00;G06N10/00 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 蒋冬梅;栗若木 |
地址: | 10008*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种离子阱,本发明实施例在离子阱装置上额外设置一组第二射频电极,通过在各第二射频电极上分别施加第二射频电压,产生了用于与径向电场进行相互抵消的射频电场;通过径向电场与射频电场的相互抵消获得了满足预设分布的离子阱中心区域的电势,从而压制了离子量子比特偏离射频零点轴的微运动。 | ||
搜索关键词: | 一种 离子 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学,未经清华大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010645038.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。