[发明专利]一种晶硅电池LeTID的测试方法及装置有效
| 申请号： | 202010645454.X | 申请日： | 2020-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN111756327B | 公开（公告）日： | 2021-09-21 |
| 发明（设计）人： | 余浩;单伟;何胜;徐伟智;黄海燕;陆川 | 申请（专利权）人： | 浙江正泰太阳能科技有限公司;海宁正泰新能源科技有限公司 |
| 主分类号： | H02S50/15 | 分类号： | H02S50/15;H01L21/66;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王雨 |
| 地址： | 310051 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶硅电池LeTID的测试方法，通过测量待测电池的发电性能，得到原始发电参数；将所述待测电池置于第一温度的保护性气氛中进行暗退火，并在每个相距第一时间间隔的时间点测量发电性能，得到多个进程发电参数，判断所述进程发电参数是否随时间经过而升高；当所述进程发电参数随时间经过而升高时，停止暗退火，并确定所述进程发电参数中的最小值，作为最小发电参数；根据所述原始发电参数及所述最小发电参数，得到所述待测电池的LeTID性能。本发明排除了光诱导衰减效应对所述待测电池的影响，得到单在LeTID作用下所述待测电池的性能衰减。本发明还提供了一种具有上述优点的晶硅电池LeTID的测试装置。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电池 letid 测试 方法 装置 | ||
【主权项】：
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