[发明专利]氮化镓单晶衬底的制备方法有效
| 申请号： | 202010646770.9 | 申请日： | 2020-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN111769036B | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 卢敬权;庄文荣;孙明 | 申请（专利权）人： | 东莞市中镓半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/683 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 523000 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种氮化镓单晶衬底的制备方法，包括步骤：1)提供一蓝宝石衬底，在蓝宝石衬底上形成氮化镓模板层；2)提供一转移基板及一键合层，键合层具有液态形态与固态形态的转换，采用键合层将转移基板与氮化镓模板层键合；3)剥离氮化镓模板层与蓝宝石衬底；4)将键合层转换为液态形态，并于剥离后的氮化镓模板层上进行外延生长，以获得加厚的氮化镓单晶衬底。本发明通过键合层将转移基板与氮化镓模板层键合，该键合层具有液态形态与固态形态的转换，在外延生成氮化镓单晶过程中，键合层处于液态形态，使氮化镓模板层处于自由态，能够有效释放应力及缓解热失配，解决生产过程引起的应力积累、晶片翘曲的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 镓单晶 衬底 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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