[发明专利]一种晶圆表面膜层沉积装置、沉积方法和半导体器件在审
| 申请号： | 202010647257.1 | 申请日： | 2020-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN111933547A | 公开（公告）日： | 2020-11-13 |
| 发明（设计）人： | 詹昶;徐乾坤;王新胜;张琴祥 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/312;H01L27/11521;H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/11568;H01L27/1157;H01L27/11578;C23C16/455;C23C16/52 |
| 代理公司： | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人： | 金跃 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶圆表面膜层沉积装置、方法和半导体器件，其中，该装置包括：至少两个进气气路；与进气气路连接的喷射单元，用于根据每个进气气路的通气流量，分别将反应物喷射至与每个进气气路相对应的晶圆表面上的区域；其中，所述晶圆表面上的区域包括：以晶圆中心为圆心的圆形区域和至少一个圆环形区域，每个区域对应一个进气气路。本方案能够在沉积过程中，通过调整晶圆表面圆形和圆环形区域对应进气气路的气流流量，来控制沉积层的厚度，从而使沉积层更加均匀，形状轮廓更加平坦。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 表面 沉积 装置 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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