[发明专利]一种高度规则排列Mn掺杂Ni-MOF超薄纳米片阵列超级电容器电极材料的制备方法在审
申请号: | 202010648665.9 | 申请日: | 2020-07-07 |
公开(公告)号: | CN112133567A | 公开(公告)日: | 2020-12-25 |
发明(设计)人: | 姚亚东;郑登超;文豪 | 申请(专利权)人: | 四川大学 |
主分类号: | H01G11/24 | 分类号: | H01G11/24;H01G11/30;B01J31/22;C08G83/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 610065 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: |
本发明公开了一种高度规则排列Mn掺杂Ni‑MOF超薄纳米片阵列超级电容器电极材料(Mn |
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搜索关键词: | 一种 高度 规则 排列 mn 掺杂 ni mof 超薄 纳米 阵列 超级 电容器 电极 材料 制备 | ||
【主权项】:
暂无信息
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