[发明专利]一种高度规则排列Mn掺杂Ni-MOF超薄纳米片阵列超级电容器电极材料的制备方法在审

专利信息
申请号: 202010648665.9 申请日: 2020-07-07
公开(公告)号: CN112133567A 公开(公告)日: 2020-12-25
发明(设计)人: 姚亚东;郑登超;文豪 申请(专利权)人: 四川大学
主分类号: H01G11/24 分类号: H01G11/24;H01G11/30;B01J31/22;C08G83/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 610065 四川*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种高度规则排列Mn掺杂Ni‑MOF超薄纳米片阵列超级电容器电极材料(Mn0.1‑Ni‑MOF/NF)的制备方法。以六水合硝酸镍为镍源,四水合氯化锰为锰源,采用氟化铵为氟源并和尿素共同调控前驱体溶液的pH值,泡沫镍为导电基底,采用水热法制备MnNi‑LDH/NF前驱,通过溶剂热法处理MnNi‑LDH/NF制备Mn0.1‑Ni‑MOF/NF,将其用于超级电容器自支撑电极材料,在6 M KOH电解质中电流密度为2 mA cm‑2表现出极高的面积比电容(16.2 F cm‑2),该性能远高于未掺杂的Ni‑MOF纳米片阵列材料。本发明充分利用了纳米阵列结构的高比表面积和多种金属间的协同作用,构建了一种面积比电容高、循环寿命长、成本低的新型储能材料。
搜索关键词: 一种 高度 规则 排列 mn 掺杂 ni mof 超薄 纳米 阵列 超级 电容器 电极 材料 制备
【主权项】:
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