[发明专利]FET器件电特性建模方法、系统和存储介质在审
| 申请号： | 202010651063.9 | 申请日： | 2020-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN111967132A | 公开（公告）日： | 2020-11-20 |
| 发明（设计）人： | 李斌;卢丹;吴朝晖 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 何文聪 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种FET器件的电特性建模方法、系统和存储介质，应用在半导体仿真技术，方法包括：获取所述FET器件的固定参数；获取所述FET器件的目标电学指标参数；配置并初始化所述FET器件的变量参数；根据所述FET器件的固定参数和变量参数构建物理模型；选择仿真物理模型对所述物理模型进行电学性能仿真，得到仿真电学指标参数；根据所述目标电学指标参数和仿真电学指标参数修改所述变量参数的数值，直到修改后的所述变量参数对应的物理模型的仿真电学指标参数和所述目标电学指标参数的差的绝对值满足预设条件；根据修改后的所述变量参数和所述固定参数所构成的物理模型的电学性能仿真结果，得到所述FET器件的电特性模型。本发明可以提高了建模效率。 | ||
| 搜索关键词： | fet 器件 特性 建模 方法 系统 存储 介质 | ||
【主权项】：
暂无信息
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