[发明专利]一种三维MIM电容器的制备方法有效
申请号: | 202010651339.3 | 申请日: | 2020-07-08 |
公开(公告)号: | CN111933622B | 公开(公告)日: | 2022-07-29 |
发明(设计)人: | 邹思月;张继华;方针;高莉彬;陈宏伟;王文君;蔡星周;穆俊宏 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学;成都迈科科技有限公司 |
主分类号: | H01L23/64 | 分类号: | H01L23/64;H01L49/02 |
代理公司: | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人: | 吴姗霖 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 一种三维MIM电容器的制备方法,属于电容器技术领域。该三维MIM电容器包括三维多孔金属底电极,以及形成于三维多孔金属底电极的孔隙和表面的全致密绝缘介层,形成于全致密绝缘介层之上的金属顶电极;其中,金属底电极中三维多孔的孔径范围为1μm~5μm。首先通过阳极氧化制备出多孔金属基底,然后通过高温氧化在金属基底表面制备得到绝缘介质层,最后通过磁控溅射在绝缘介质层表面制备顶电极。本发明方法简单,成本低廉,得到的多孔金属基底比表面积增大,有效的提升了MIM电容器的性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 三维 mim 电容器 制备 方法 | ||
【主权项】:
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