[发明专利]一种三维MIM电容器的制备方法有效

专利信息
申请号: 202010651339.3 申请日: 2020-07-08
公开(公告)号: CN111933622B 公开(公告)日: 2022-07-29
发明(设计)人: 邹思月;张继华;方针;高莉彬;陈宏伟;王文君;蔡星周;穆俊宏 申请(专利权)人: 电子科技大学;成都迈科科技有限公司
主分类号: H01L23/64 分类号: H01L23/64;H01L49/02
代理公司: 电子科技大学专利中心 51203 代理人: 吴姗霖
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 一种三维MIM电容器的制备方法,属于电容器技术领域。该三维MIM电容器包括三维多孔金属底电极,以及形成于三维多孔金属底电极的孔隙和表面的全致密绝缘介层,形成于全致密绝缘介层之上的金属顶电极;其中,金属底电极中三维多孔的孔径范围为1μm~5μm。首先通过阳极氧化制备出多孔金属基底,然后通过高温氧化在金属基底表面制备得到绝缘介质层,最后通过磁控溅射在绝缘介质层表面制备顶电极。本发明方法简单,成本低廉,得到的多孔金属基底比表面积增大,有效的提升了MIM电容器的性能。
搜索关键词: 一种 三维 mim 电容器 制备 方法
【主权项】:
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