[发明专利]一种三维MIM电容器的制备方法有效
| 申请号： | 202010651339.3 | 申请日： | 2020-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN111933622B | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 邹思月;张继华;方针;高莉彬;陈宏伟;王文君;蔡星周;穆俊宏 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学;成都迈科科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L49/02 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 吴姗霖 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种三维MIM电容器的制备方法，属于电容器技术领域。该三维MIM电容器包括三维多孔金属底电极，以及形成于三维多孔金属底电极的孔隙和表面的全致密绝缘介层，形成于全致密绝缘介层之上的金属顶电极；其中，金属底电极中三维多孔的孔径范围为1μm～5μm。首先通过阳极氧化制备出多孔金属基底，然后通过高温氧化在金属基底表面制备得到绝缘介质层，最后通过磁控溅射在绝缘介质层表面制备顶电极。本发明方法简单，成本低廉，得到的多孔金属基底比表面积增大，有效的提升了MIM电容器的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三维 mim 电容器 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学;成都迈科科技有限公司，未经电子科技大学;成都迈科科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010651339.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种垃圾预热提高焚烧效率的燃烧炉
- 下一篇：空调机组的紧急运行方法
