[发明专利]一种不同写操作下相变存储芯片热稳定性预测方法在审
| 申请号： | 202010651804.3 | 申请日： | 2020-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN111948507A | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 刘源广;蔡道林;李阳;崔紫荆;宋志棠 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;G01R31/28 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所(普通合伙) 31233 | 代理人： | 钱文斌;黄志达 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种不同写操作下相变存储芯片热稳定性预测方法，包括以下步骤：(1)将存储单元通过写脉冲操作到非晶态；(2)对所述存储单元进行电学V‑I测试，得到所述写脉冲操作电流下的所述存储单元的V‑I数据；(3)根据设定的电流步长调整写脉冲操作电流，并重复步骤(2)，得到不同写脉冲操作下的存储单元V‑I数据；(4)采用数理统计方法对不同写脉冲操作下的存储单元的V‑I数据进行处理和分析，实现对所述存储单元的热稳定性进行预测。本发明避免了高温环境下的繁琐测试流程以及高温对相变存储单元的损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 不同 操作 相变 存储 芯片 热稳定性 预测 方法 | ||
【主权项】：
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