[发明专利]一种常压下锗锡纳米材料的制备方法有效
| 申请号： | 202010652263.6 | 申请日： | 2020-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN111893454B | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 马淑芳;楚阳阳;单恒升;魏宇;尚林;席婷;孔庆波;许并社 | 申请（专利权）人： | 陕西科技大学 |
| 主分类号： | C23C16/02 | 分类号： | C23C16/02;C23C16/06;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 西安铭泽知识产权代理事务所(普通合伙) 61223 | 代理人： | 梁静 |
| 地址： | 710021 陕西省*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种常压下锗锡纳米材料的制备方法，属于半导体纳米材料技术领域。包括以下步骤：S1、取硅片，在其表面喷涂金属催化剂处理；S2、将S1处理后的硅片平置于圆底瓷舟内的一端，其喷涂金属催化剂的一面朝上；将以质量比为20～10:1的锗粉和锡粉置于圆底瓷舟内的另一端，再将圆底瓷舟置于管式炉的加热腔内，并在位于装有锗粉和锡粉的一端以200sc·cm气体流量连续通入惰性气体，然后将管式炉从室温以5℃/min速率升温至800～850℃后，保温50～110min，再以5℃/min速率降至室温，即在硅片表面获得锗锡纳米材料。本发明能够快速直接制备锗锡纳米材料，在整个制备过程中不需要废气处理、可以持续生产、设备简单，易操作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 压下 纳米 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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