[发明专利]一种用于铜/钼（铌）/IGZO膜层的刻蚀液及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 202010652548.X | 申请日： | 2020-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN111809182A | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 徐帅;张红伟;李闯;胡天齐;钱铁民 | 申请（专利权）人： | 江苏和达电子科技有限公司;四川和晟达电子科技有限公司 |
| 主分类号： | C23F1/18 | 分类号： | C23F1/18;C23F1/26;C25F3/02;C25F3/08;C25F3/12;H01L21/44;H01L21/465 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋 |
| 地址： | 212212 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于铜/钼(铌)/IGZO膜层的刻蚀液及其制备方法和应用，所述蚀刻液包括主剂和添加剂，所述主剂和添加剂中金属缓蚀剂均为氨基咔唑类金属缓蚀剂。本发明的刻蚀液能够实现对金属源漏电极和半导体层IGZO膜层的同步刻蚀，可降低光罩使用数量、简化IGZO‑TFT制造工艺流程、提高企业生产效率、降低生产成本、确保产品品质，同时该蚀刻液的铜离子负载可达8000ppm，使用寿命更高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 igzo 刻蚀 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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