[发明专利]一种新型光电双响应阻变存储器件及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 202010652679.8 | 申请日： | 2020-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN111834525B | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | 张斌;侯杰;李真;樊菲 | 申请（专利权）人： | 华东理工大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C16/14;B82Y10/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 上海三和万国知识产权代理事务所(普通合伙) 31230 | 代理人： | 任艳霞 |
| 地址： | 200237 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明属于信息存储技术领域，公开了一种新型光电双响应阻变存储器件及其制备的方法。具体包括如下步骤：首先使用机械剥离，将块状黑磷剥离成黑磷量子点；其次，将黑磷量子点和C |
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| 搜索关键词： | 一种 新型 光电 双响 应阻变 存储 器件 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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