[发明专利]一种3D打印全碳三维多层集成电路的方法有效
| 申请号： | 202010652758.9 | 申请日： | 2020-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN111785682B | 公开（公告）日： | 2022-11-11 |
| 发明（设计）人： | 韩拯;董宝娟;陈茂林;李小茜;张桐耀 | 申请（专利权）人： | 山西大学 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L27/28;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 太原申立德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 14115 | 代理人： | 程园园 |
| 地址： | 030006*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明属于微电子、芯片、集成电路等应用研究领域，具体涉及一种3D打印全碳三维多层集成电路的方法。所述方法基于3D打印技术，以喷雾打印方式，多层次、跨尺度、实现三维多层集成电路的直接打印以及原位电极互联，具体步骤包括：将预先设计好的矢量集成电路分解成打印精度范围内的多层图层，从第一图层开始，通过交替使用半导体性碳基纳米材料、金属性碳基纳米材料、绝缘性碳基纳米材料与溶剂聚合物混合为原料，根据上述图层中集成电路所需材料自动选择相应电学特性的原料，使用对应的高精度喷嘴，结合高精度定位平台，原位打印固化所需的集成电路；直至每一个图层均被精准定位、打印并固化，最终形成目标三维多层集成电路。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 打印 三维 多层 集成电路 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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