[发明专利]双三相绕组变磁通记忆电机、电机系统及其控制方法有效
| 申请号： | 202010652939.1 | 申请日： | 2020-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN111756145B | 公开（公告）日： | 2022-09-09 |
| 发明（设计）人： | 华浩;刘东 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | H02K3/28 | 分类号： | H02K3/28;H02K1/276;H02K1/278;H02K21/02;H02K21/14;H02P25/022;H02P25/22;H02P27/06 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人： | 胡晶 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种双三相绕组变磁通记忆电机，其包括：定子；转子，转子上设有可变磁通永磁体；绕组，绕组设于定子槽上，绕组包括第一三相绕组以及第二三相绕组，第一三相绕组以及第二三相绕组空间无物理重叠，第一三相绕组以及第二三相绕组的轴线正对不同的转子极；当可变磁通永磁体需要转换磁化状态时，第一三相绕组加载增磁或去磁电流脉冲，以完成可变磁通永磁体的磁化状态转换，第二三相绕组不参与可变磁通永磁体的磁化状态转换。此外，本发明还公开了一种变磁通电机记忆电机系统，其包括上述的双三相绕组变磁通记忆电机以及与其电连接的控制器。另外，本发明还公开了一种电机使用方法，其使用上述的双三相绕组变磁通记忆电机。 | ||
| 搜索关键词： | 三相 绕组 变磁通 记忆 电机 系统 及其 控制 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海交通大学，未经上海交通大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010652939.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种资源化循环利用冷态精炼渣系统及方法
- 下一篇：一种混凝土预制件处理工艺
