[发明专利]用于半导体器件重离子潜径迹损伤分析的方法和装置在审
| 申请号： | 202010653213.X | 申请日： | 2020-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN111814334A | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 郭红霞;张鸿;潘霄宇;周益春;张凤祁;张晋新;琚安安;钟向丽;廖敏 | 申请（专利权）人： | 湘潭大学 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20;G06F30/25;G06F119/04 |
| 代理公司： | 北京中政联科专利代理事务所(普通合伙) 11489 | 代理人： | 郑久兴 |
| 地址： | 411100 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种用于半导体器件重离子潜径迹损伤的分析方法，包括：确定所述半导体器件的基本结构；根据所述半导体器件的基本结构建立其器件模型；确定所述半导体器件模型中每层材料的种类和厚度参数，以及每层材料中入射粒子的类型和能量参数；定义所述半导体器件模型的底色和框架结构；定义所述半导体器件模型中表示所述入射粒子的线型、线条颜色和线条走向；在所述半导体器件模型中绘制所述入射粒子的运动轨迹。本申请通过构建半导体器件模型，并基于所述器件模型绘制入射粒子在器材模型中的运动轨迹来分析重离子潜径迹损伤情况，避免了基于实物的研究产生的条件限制，方便了更为广泛和普适的模拟研究。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体器件 离子 径迹 损伤 分析 方法 装置 | ||
【主权项】：
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