[发明专利]采用多芯片堆叠结构的功率分立器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202010655248.7 | 申请日： | 2020-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN111799251B | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 杨伊杰;蒋卫娟;缑娟;孙炎权 | 申请（专利权）人： | 华羿微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/18 | 分类号： | H01L25/18;H01L23/495;H01L23/367;H01L23/373;H01L21/50;H01L21/60 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郭永丽;侯芳 |
| 地址： | 710018 陕西省西安市未央区*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明属于功率器件封装结构的技术领域，具体涉及一种采用多芯片堆叠结构的功率分立器件及其制备方法，采用多芯片堆叠结构的功率分立器件包括散热基板；至少两个芯片，其分别粘接在所述散热基板上，或者所述至少两个芯片以堆叠的方式粘接在所述散热基板上；其中，所述至少两个芯片与所述散热基板之间，或者所述至少两个芯片之间，均设有导电银浆层；其中，所述导电银浆层的点胶图案为星状或者十字状。采用多芯片堆叠结构的功率分立器件的制备方法可以制备上述采用多芯片堆叠结构的功率分立器件。本发明提供的采用多芯片堆叠结构的功率分立器件及其制备方法，既能保证功率器件的散热要求，又实现大功率器件封装结构小型化的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 芯片 堆叠 结构 功率 分立 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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