[发明专利]一种改善EMI的深沟槽MOS器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202010655617.2 | 申请日： | 2020-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN111668292A | 公开（公告）日： | 2020-09-15 |
| 发明（设计）人： | 薛璐;何军;胡兴正;刘海波 | 申请（专利权）人： | 南京华瑞微集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 南京瑞华腾知识产权代理事务所(普通合伙) 32368 | 代理人： | 梁金娟 |
| 地址： | 211899 江苏省南京市浦*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种改善EMI的深沟槽MOS器件及其制造方法。该器件包括衬底、若干层中间外延层和表面外延层，中间外延层和表面外延层内形成有沟槽，沟槽的底部设置在最底层的中间外延层内，沟槽内填充有第二导电类型的杂质，沟槽的两侧的每层中间外延层上侧形成若干个第一导电类型的pillar，第一导电类型的pillar的端部深入至沟槽的内部。本发明通过在沟槽的两侧设置若干个第一导电类型的pillar，从而改变沟槽内的第二导电类型的pillar的形状，使得开关过程中，Coss的充放电会变缓，减小了开关震荡，降低了开关噪声，EMI性能得到提升；且由于未增加整体的EPI厚度及光罩层，成本也不会增加。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 emi 深沟 mos 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京华瑞微集成电路有限公司，未经南京华瑞微集成电路有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010655617.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种方便拆卸的化工生产用储罐
- 下一篇：一种后置旋转式旋耕播种施肥开沟机
- 同类专利
- 专利分类
