[发明专利]PECVD设备及其所用的PECVD镀膜方法有效
申请号: | 202010660344.0 | 申请日: | 2020-07-10 |
公开(公告)号: | CN111809167B | 公开(公告)日: | 2022-11-15 |
发明(设计)人: | 杨华新;马哲国;董家伟;王慧慧;耿茜 | 申请(专利权)人: | 上海理想万里晖薄膜设备有限公司 |
主分类号: | C23C16/54 | 分类号: | C23C16/54;C23C16/505;C23C16/52;C23C16/458 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 201306 上海市浦东新区自由*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供PECVD设备及其所用的PECVD镀膜方法。该PECVD设备包括:外腔;设置在外腔内的内腔上盖;滚轮模块,其设置在外腔内并位于内腔上盖下方,其包括多个滚轮组、驱动多个滚轮组升降以在托盘接送位和托盘封闭位之间移动的第一驱动模块、驱动多个滚轮组转动从而驱动托盘水平移动的第二驱动模块;以及控制模块,其配置成控制第二驱动模块驱动多个滚轮组在托盘接送位接收水平送入外腔的托盘并将其水平传送到位,并在到位后控制第一驱动模块向上驱动多个滚轮组使其进入托盘封闭位而顶推其所支撑的托盘在边缘处与内腔上盖相压靠,从而形成由内腔上盖和托盘构成的、用于进行PECVD成膜工艺的内腔。本发明能提高成膜质量、传送速度,并能降低设备故障率和成本。 | ||
搜索关键词: | pecvd 设备 及其 所用 镀膜 方法 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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