[发明专利]利用原位布里渊散射光谱分析三方晶系材料折射率的方法有效
| 申请号： | 202010660571.3 | 申请日： | 2020-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN111855614B | 公开（公告）日： | 2023-07-18 |
| 发明（设计）人： | 吴永全;王旭;陶倩 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | G01N21/45 | 分类号： | G01N21/45 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人： | 顾勇华 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种利用原位布里渊散射光谱分析三方晶系材料折射率的方法，包括以下步骤：(1)采用立式样品台；(2)采用CCD显微摄像器；(3)将样品放置在立式样品台中，对散射配置进行改进；(4)测试前对法布里‑珀罗干涉仪进行较准；(5)对检测得到的光谱图进行分析，从而确定样品的折射率。本发明方法可获得高信噪比的布里渊光谱图及确定材料的折射率，能精确测定SiO |
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| 搜索关键词： | 利用 原位 布里渊散射 光谱分析 晶系 材料 折射率 方法 | ||
【主权项】：
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