[发明专利]集成芯片及其形成方法在审
| 申请号： | 202010661732.0 | 申请日： | 2020-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN112750751A | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 施宏霖 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/763;H01L27/12;H01L29/78 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 王素琴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例涉及一种集成芯片及其形成方法，集成芯片包括绝缘体上硅衬底，绝缘体上硅衬底具有位于有源层与基础层之间的绝缘体层。半导体器件及浅沟槽隔离结构设置在绝缘体上硅衬底的前侧上。半导体芯结构连续地环绕半导体器件且穿过浅沟槽隔离结构并朝绝缘体上硅衬底的后侧延伸。第一绝缘体衬垫部分及第二绝缘体衬垫部分环绕半导体芯结构的第一最外侧壁及第二最外侧壁。第一绝缘体衬垫部分及第二绝缘体衬垫部分分别具有第一突起及第二突起。第一突起及第二突起配置在浅沟槽隔离结构与绝缘体上硅衬底的绝缘体层之间。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 芯片 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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