[发明专利]一种无偏量子熵源芯片结构在审
| 申请号： | 202010661921.8 | 申请日： | 2020-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN111785712A | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 丁禹阳;刘午;王从柯;程翌婷;霍庆春;解正胜 | 申请（专利权）人： | 合肥硅臻芯片技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H04L9/08;H04B10/70 |
| 代理公司： | 深圳市创富知识产权代理有限公司 44367 | 代理人： | 于睿虬 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市经济技术开发区*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种无偏量子熵源芯片结构，包括芯片基底材料，所述芯片基底材料上设置有平衡探测器模块和半导体自发辐射源模块，两个所述半导体自发辐射源模块发出的自发辐射光束分别进入一个所述平衡探测器模块的输入端。本发明由于两个半导体自发辐射模块位于同一片芯片上，当芯片外部环境变化时，这两个半导体自发辐射模块的参数变化可以认为是相同的，可以保证经过差分后的信号分布的无偏特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 量子 芯片 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥硅臻芯片技术有限公司，未经合肥硅臻芯片技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010661921.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
