[发明专利]一种ALD制作非晶硅的方法有效
| 申请号： | 202010663155.9 | 申请日： | 2020-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN111816735B | 公开（公告）日： | 2023-05-09 |
| 发明（设计）人： | 欧文凯 | 申请（专利权）人： | 普乐新能源科技（泰兴）有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/20 | 分类号： | H01L31/20;H01L21/02 |
| 代理公司： | 苏州创策知识产权代理有限公司 32322 | 代理人： | 颜海良 |
| 地址： | 225400 江苏省泰州市泰*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种ALD制作非晶硅的方法，包括以下步骤：打开ALD设备炉门，将制作非晶硅的样品放入载具，抽真空；设备测试泄漏率≤5mTorr，同时升温至200～600℃并恒温5‑20min；通入反应源与氮气，如此循环若干次生长非晶硅。本发明工艺采用低温非晶硅的原位掺杂，通过本发明的方法可有效解决非晶硅镀膜的不均匀情况同时非晶硅生长速率较快适合大规模量产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ald 制作 非晶硅 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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