[发明专利]三苯胺-芴-苯并咪唑低带隙三元共聚物、电存储器件及其制备

摘要

本发明属于有机电存储材料的技术领域，公开了三苯胺‑芴‑苯并咪唑低带隙三元共聚物、电存储器件及其制备。所述低带隙三元共聚物具有以下结构，其中，R为烷氧基；R1为烷基；m为20至300的整数；n为20至300的整数。电存储器件包括有机层，有机层为所述低带隙三元共聚物；还包括衬底，阴极和阳极。本发明还公开了低带隙三元共聚物和电存储器件的制备方法。本发明的三元共聚物具有低能带隙，较强空穴传输，能够提高电存储器件的性能。制备的电存储器件开启电压低，能耗小，能够延长器件寿命，开关电流比高，大大提高了存储密度，可进行多次循环读写，性能优良。