[发明专利]金刚石纳米晶/氮掺杂碳化硅界面相的n型半导体复合薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 202010667428.7 | 申请日： | 2020-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN111593318A | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | 刘学杰;诸葛晨昱;孙士阳;谭心 | 申请（专利权）人： | 内蒙古科技大学 |
| 主分类号： | C23C16/02 | 分类号： | C23C16/02;C23C16/27;C23C16/32;C23C16/56;C23C16/455;C23C16/511;H01L21/04 |
| 代理公司： | 北京挺立专利事务所(普通合伙) 11265 | 代理人： | 王莉 |
| 地址： | 014010 内蒙古自治区包*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种金刚石纳米晶/氮掺杂碳化硅界面相的n型半导体复合薄膜及其制备方法，属于复合薄膜材料领域；该方法制得的复合薄膜由晶粒相和晶粒间相两部分组成，其中晶粒相为纳米或者超细纳米金刚石晶粒；晶粒间相（界面相）是氮原子置换碳原子的碳化硅晶粒相或者非晶相；晶粒间相（界面相）在金刚石晶粒之间形成分隔层；该复合薄膜具有n型半导体性能；复合薄膜的制备包括在基底表面植入高密度分布的晶种，利用微波等离子气相沉积形成金刚石晶核，共同沉积金刚石晶粒相和氮掺杂碳化硅界面相，生长出纳米金刚石复合薄膜，以及进行热处理消除薄膜应力和均化晶粒尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 金刚石 纳米 掺杂 碳化硅 界面 半导体 复合 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
