[发明专利]触发电压可调双向ESD保护器件、结构及制备方法有效
| 申请号： | 202010667706.9 | 申请日： | 2020-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN111863804B | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 刘森;李建平;史林森;刘兴龙;罗建富 | 申请（专利权）人： | 微龛（广州）半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L21/8222 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 施婷婷 |
| 地址： | 510663 广东省广州市高新技术*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种触发电压可调双向ESD保护器件、结构及制备方法，包括：位于衬底上的深N阱；相邻设置于深N阱内的N阱及P阱；以及，第一P+注入区及第二P+注入区，第一P+注入区设置于N阱内，第二P+注入区设置于N阱及P阱内，第一P+注入区与第二P+注入区之间设置有隔离区；第一P+注入区、N阱及第二P+注入区构成第一PNP三极管，第一P+注入区、N阱及P阱构成第二PNP三极管，N阱与第二P+注入区的接触面积可调。本发明的触发电压可调双向ESD保护器件、结构及制备方法将击穿电压不同的PNP三极管并联，通过调节并联部分的接触面积实现触发电压的可调；同时基于PNP三极管相当于背靠背的两个二极管结构实现正负信号的双向保护。 | ||
| 搜索关键词： | 触发 电压 可调 双向 esd 保护 器件 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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