[发明专利]金纳米阵列衬底及其与近红外量子剪裁发光材料的复合结构及制备方法有效
申请号: | 202010667755.2 | 申请日: | 2020-07-13 |
公开(公告)号: | CN111682085B | 公开(公告)日: | 2022-06-07 |
发明(设计)人: | 郑标;王军;黄春雷;杨威;李玉良 | 申请(专利权)人: | 闽江学院 |
主分类号: | H01L31/055 | 分类号: | H01L31/055;B82B3/00;B82Y20/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人: | 丘鸿超;蔡学俊 |
地址: | 350108 福建省*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明提出一种金纳米阵列衬底及其与近红外量子剪裁发光材料的复合结构及制备方法,首先,设计了一种具有单模、窄线宽、高品质因子的表面晶格共振峰的金纳米阵列衬底,在此基础上,构筑阵列衬底与近红外量子剪裁发光材料的复合结构,利用高度局域化的表面晶格共振增强特定波长的三光子近红外量子剪裁发光。该发明的制备工艺简单、操作方便、成本较低,能够提供一种高效的太阳能电池光转换片,提高太阳能电池的光电转换效率,适宜推广。 | ||
搜索关键词: | 纳米 阵列 衬底 及其 红外 量子 剪裁 发光 材料 复合 结构 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的