[发明专利]金纳米阵列衬底及其与近红外量子剪裁发光材料的复合结构及制备方法有效

专利信息
申请号: 202010667755.2 申请日: 2020-07-13
公开(公告)号: CN111682085B 公开(公告)日: 2022-06-07
发明(设计)人: 郑标;王军;黄春雷;杨威;李玉良 申请(专利权)人: 闽江学院
主分类号: H01L31/055 分类号: H01L31/055;B82B3/00;B82Y20/00;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 福州元创专利商标代理有限公司 35100 代理人: 丘鸿超;蔡学俊
地址: 350108 福建省*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明提出一种金纳米阵列衬底及其与近红外量子剪裁发光材料的复合结构及制备方法,首先,设计了一种具有单模、窄线宽、高品质因子的表面晶格共振峰的金纳米阵列衬底,在此基础上,构筑阵列衬底与近红外量子剪裁发光材料的复合结构,利用高度局域化的表面晶格共振增强特定波长的三光子近红外量子剪裁发光。该发明的制备工艺简单、操作方便、成本较低,能够提供一种高效的太阳能电池光转换片,提高太阳能电池的光电转换效率,适宜推广。
搜索关键词: 纳米 阵列 衬底 及其 红外 量子 剪裁 发光 材料 复合 结构 制备 方法
【主权项】:
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