[发明专利]半导体装置结构的形成方法在审
| 申请号： | 202010668082.2 | 申请日： | 2020-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN112509977A | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 林志昌;林群雄;王志豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088;H01L29/78 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂慧荃;闫华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种半导体装置结构的形成方法。此方法包含在基底上方形成第一栅极堆叠，基底具有基座和在基座上方的第一鳍片结构，并且第一栅极堆叠包覆环绕第一鳍片结构的第一上部周围。此方法包含部分地移除未被第一栅极堆叠覆盖的第一鳍片结构。此方法包含在第一鳍片结构的第一侧壁上方形成第一掩膜层。此方法包含在第一掩膜层覆盖第一侧壁的同时，在第一鳍片结构的第二侧壁上方形成第一应力物，第一侧壁与第二侧壁相对，此方法包含移除第一掩膜层。此方法包含在基座和第一应力物上方形成介电层，介电层覆盖第一侧壁。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
