[发明专利]半导体结构在审
| 申请号： | 202010668309.3 | 申请日： | 2020-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN112599482A | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | 杨士亿;詹佑晨;李明翰;陈海清;眭晓林 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/528;H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 傅磊;黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 提供半导体结构。半导体结构包括第一导电结构，埋置于第一介电层中；通孔结构，位于第一导电结构上；第二导电结构，位于通孔结构上；以及石墨烯层，位于第一导电结构的至少一部分上。通孔结构电性耦接第一导电结构至第二导电结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【主权项】：
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