[发明专利]HEMT器件结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202010669544.2 | 申请日： | 2020-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN111952356A | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 施宜军;陈思;付志伟;尧彬;陈义强 | 申请（专利权）人： | 中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室）） |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/45;H01L29/47;H01L29/06;H01L29/778;H01L21/335;H01L21/28 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 缪成珠 |
| 地址： | 511300 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请涉及半导体技术领域，具体公开一种HEMT器件结构及其制备方法，结构包括HEMT异质结构层和电极层，所述HEMT异质结构层中设置有第一凹槽；电极层包括设置于所述HEMT异质结构层上的栅极、漏极以及贴近设置的第一源极、第二源极，所述漏极和所述第一源极分别与所述HEMT异质结构层欧姆接触，所述第二源极与所述HEMT异质结构层肖特基接触，且所述第二源极设置于所述第一凹槽内。在漏极施加正向偏置电压时，第二源极对应位置下的二维电子气能够较快被耗尽，HEMT器件的电流可以在较低的电压下达到饱和状态，可以避免因电磁干扰造成的电压波动对器件工作特性的影响，使得器件具有较低的动态功耗。 | ||
| 搜索关键词： | hemt 器件 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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