[发明专利]SOI晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 202010672121.6 | 申请日： | 2020-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN111725299B | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 刘俊文 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种SOI晶体管及其制造方法。其中，该SOI晶体管包括：衬底层，衬底层上依次沉积形成隔离层和SOI层，SOI层包括有源区；沟道隔离结构，包围在SOI有源区的外周；栅极结构，栅极结构设于有源区上，设置栅极结构的有源区为栅区；第一导电类型杂质离子区，包括两个，分别形成于栅区的两侧。体接触区，体接触区形成于，靠近其中第一导电类型杂质离子区一侧的有源区中；浅沟槽隔离结构，浅沟槽隔离结构设于体接触区，和，靠近体接触区的第一导电类型杂质离子区之间。该SOI晶体管及其制造方法能够避免顶层硅中聚集电荷的同时，能够很好地解决了器件将体接触区单独引出的问题。 | ||
| 搜索关键词： | soi 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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