[发明专利]一种制备石墨烯纳米带阵列的方法有效
| 申请号： | 202010673350.X | 申请日： | 2020-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN111620325B | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 于贵;蔡乐 | 申请（专利权）人： | 中国科学院化学研究所 |
| 主分类号： | C01B32/186 | 分类号： | C01B32/186 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 吴爱琴 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备石墨烯纳米带阵列的方法。该方法，是在化学气相沉积的过程中，在没有模板和刻蚀剂的引导下，通过控制氢气流量在多种液态金属衬底上直接生长石墨烯纳米带阵列。通过改变氢气的流量来控制石墨烯的梳状刻蚀密度，从而达到对石墨烯纳米带阵列的宽度和长度的可控效果。本发明公开的方法，与传统的方法相比，大大降低了制备过程的繁琐与成本，而且提高了对所制备石墨烯纳米带阵列边缘结构与宽度的可控性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 石墨 纳米 阵列 方法 | ||
【主权项】：
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