[发明专利]半导体结构的形成方法在审
| 申请号： | 202010673949.3 | 申请日： | 2020-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN113937164A | 公开（公告）日： | 2022-01-14 |
| 发明（设计）人： | 金吉松 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静;李丽 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，包括衬底和鳍部，沿鳍部延伸方向，衬底包括器件单元区和位于相邻器件单元区之间的隔离区，衬底上形成有覆盖鳍部的部分侧壁的隔离层，器件单元区和隔离区的隔离层上形成有横跨鳍部的栅极层，栅极层顶部形成有栅极掩膜层；在隔离区的栅极掩膜层中形成掩膜开口；沿掩膜开口刻蚀栅极层和鳍部，形成隔离开口；在隔离开口中形成隔离结构。本发明利用栅极掩膜层中的掩膜开口，省去了形成用于定义隔离结构位置的掩膜层的步骤，且通过依次刻蚀栅极层和鳍部的方式形成隔离开口，降低了形成工艺的复杂度，同时，隔离开口在同一步骤中形成，受套刻精度的影响较小，从而提高半导体结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
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