[发明专利]一种高纯度高强高导铜基靶材及其制备方法有效
| 申请号： | 202010674702.3 | 申请日： | 2020-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN111910101B | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 肖柱;方梅;李周;龚深;姜雁斌 | 申请（专利权）人： | 中南大学 |
| 主分类号： | C22C9/00 | 分类号： | C22C9/00;C22C1/03;C23C14/34 |
| 代理公司： | 长沙永星专利商标事务所(普通合伙) 43001 | 代理人： | 周咏;林毓俊 |
| 地址： | 410083 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高纯度高强高导铜基靶材及其制备方法，原料按照重量份数比为：高纯银粉0.1～1.0份、高纯铜银锶合金粉1～10份、余量为铜粉99～99.9份，银粉+铜粉总共100份；其中：铜银锶合金粉合金中银的含量为0.1～1.0％，锶的含量为5～20ppm，余量为铜。本发明采用粉末冶金的方法对铜粉和银粉进行冷等静压制坯，可确保铜和银的比例保持一致，又可以避免熔炼过程中发生银的偏析。本发明提出的制备方法，在制备高纯坯锭之前先进行多道次区域熔炼获得合金母坯，可保证后续靶材成品的高纯度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纯度 高强 高导铜基靶材 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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