[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202010675773.5 | 申请日： | 2020-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN113937165A | 公开（公告）日： | 2022-01-14 |
| 发明（设计）人： | 亚伯拉罕·庾;金吉松 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/10;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，其中结构包括：基底，所述基底上具有鳍部，所述鳍部包括第一区以及位于第一区上的第二区；位于第一区鳍部表面的第一界面层，所述第一界面层内掺杂有第一极化原子；位于第二区鳍部表面的第二界面层，所述第二界面层内掺杂有第一极化原子和第二极化原子，且所述第一界面层的导电类型和第二界面层的导电类型相同。所述第一界面层调整阈值电压的效果大于第二界面层调整阈值电压的效果，从而平衡由于鳍部顶角处导致的栅极结构的阈值电压的差异，使得最终形成的栅极结构的位于鳍部顶部部分与位于鳍部侧壁部分的阈值电压的差异缩小，从而提高形成的半导体结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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