[发明专利]一种晶闸管芯片、晶闸管及其制作方法在审
| 申请号： | 202010675829.7 | 申请日： | 2020-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN112071906A | 公开（公告）日： | 2020-12-11 |
| 发明（设计）人： | 王东东;操国宏;王政英;姚震洋;高军;银登杰;郭润庆;刘军 | 申请（专利权）人： | 株洲中车时代半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L21/332;H01L23/373 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;陈敏 |
| 地址： | 412001 湖南省株洲市石峰*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶闸管芯片及制作方法，其中所述芯片包括，位于阳极P型层之上的N型基区及P型基区；位于所述P型基区上表面内的阴极N型区；位于所述阴极发射N型区之上的阴极金属；位于所述P型基区表面之上放大门极金属及中心门极金属；位于门极阴极金属之间指定厚度的介质薄膜层；及所述阳极P型层之下的阳极金属。本发明无需对成熟的晶闸管设计、工艺更改，不影响晶闸管各参数，能提高耐受di/dt的能力，有利于提升晶闸管性能，延长使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶闸管 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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