[发明专利]半导体器件的制备方法有效
| 申请号： | 202010676399.0 | 申请日： | 2020-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN111799177B | 公开（公告）日： | 2023-09-29 |
| 发明（设计）人： | 李红雷 | 申请（专利权）人： | 通富微电科技（南通）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 黎坚怡 |
| 地址： | 226000 江苏省南通市开发区崇州大道6*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种半导体器件的制备方法，包括：提供设置有多个导电硅通孔的中介板，其中，所述中介板包括相背设置的正面和背面，所述硅通孔自所述正面向所述背面延伸，且非贯通所述背面；使所述中介板的所述正面朝下，从所述背面去除部分所述中介板以使得所述硅通孔从所述背面露出；在从所述背面露出的所述硅通孔上形成焊球，所述焊球与所述硅通孔电连接；使所述中介板的所述背面朝下，将至少一个芯片与从所述正面露出的所述硅通孔电连接。通过上述方式，本申请能够降低制备半导体器件的良率成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
