[发明专利]GaN器件散热结构及制备方法在审
| 申请号： | 202010677942.9 | 申请日： | 2020-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN111564501A | 公开（公告）日： | 2020-08-21 |
| 发明（设计）人： | 马飞;冯光建;程明芳 | 申请（专利权）人： | 浙江集迈科微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/40;H01L29/20;H01L23/367;H01L23/373 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 313100 浙江省湖州市长兴县经济技术开发*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种GaN器件散热结构及制备方法，所述GaN器件散热结构的制备方法包括如下步骤：1）提供衬底，在所述衬底上方形成外延层；2）在所述衬底上定义有源区和非有源区，并在所述有源区的所述外延层上方形成有源区结构；3）在所述有源区的所述外延层和所述有源区结构上方形成隔离层；4）去除所述非有源区上的所述外延层；5）在所述非有源区的衬底上形成散热结构。本发明通过在GaN器件的上表面形成连接衬底的金属热沉散热结构，使GaN器件通过上表面有效散热；利用金属散热结构所形成的场板还进一步提升了器件的耐压性能。 | ||
| 搜索关键词： | gan 器件 散热 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江集迈科微电子有限公司，未经浙江集迈科微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010677942.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
