[发明专利]用于监控外延工艺对晶体管性能影响的测试结构及方法在审
| 申请号： | 202010678509.7 | 申请日： | 2020-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN111769102A | 公开（公告）日： | 2020-10-13 |
| 发明（设计）人： | 陈海平 | 申请（专利权）人： | 杭州广立微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/67 |
| 代理公司： | 江苏坤象律师事务所 32393 | 代理人： | 赵新民 |
| 地址： | 310012 浙江省杭州市西*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请提供一种用于监控外延工艺对晶体管性能影响的测试结构及方法，该测试结构包括晶体管测试区和密度控制区；密度控制区设有多个有源区密度相同的基本单元，能通过设置不同数量比例的P型单元和N型单元，实现对测试结构中目标外延层密度的控制；晶体管测试区设有若干个目标基本单元，且通过测试线路并联每个目标基本单元中的一个晶体管，用于测量评估晶体管的性能；其中，基本单元至少包括一个晶体管，目标基本单元是指P型单元和N型单元中的其中一种类型的基本单元，且目标基本单元的晶体管采用了分子外延工艺；有源区密度是指基本单元中有源区的面积占比；目标外延层的密度是指目标基本单元的外延层在电路版图中的面积占比。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 监控 外延 工艺 晶体管 性能 影响 测试 结构 方法 | ||
【主权项】：
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