[发明专利]三维存储器的形成方法有效
申请号: | 202010680441.6 | 申请日: | 2020-07-15 |
公开(公告)号: | CN111785725B | 公开(公告)日: | 2021-02-23 |
发明(设计)人: | 黄欣欣;杨永刚 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/11524 | 分类号: | H01L27/11524;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11582 |
代理公司: | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 孙佳胤;陈丽丽 |
地址: | 430074 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种三维存储器的形成方法。所述三维存储器的形成方法包括如下步骤:形成第一堆叠层于衬底表面;形成连接层于所述第一堆叠层背离所述衬底的表面,所述连接层中具有暴露所述第一堆叠层的开口;沿所述开口刻蚀所述第一堆叠层,形成贯穿所述第一堆叠层的第一沟道孔,所述第一沟道孔的孔径小于所述开口的宽度;形成填充层于所述第一沟道孔和所述开口内。本发明简化了扩大连接层中开口尺寸的步骤,降低了三维存储器的制造难度。 | ||
搜索关键词: | 三维 存储器 形成 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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