[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 202010684555.8 | 申请日： | 2020-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN112242377A | 公开（公告）日： | 2021-01-19 |
| 发明（设计）人： | 姜成进;白宗玟;刘禹炅;韩奎熙;金汉城;李长镐;张相信 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/528;H01L49/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 翟然 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括：第一层间绝缘膜；在第一层间绝缘膜中的导电图案；在导电图案上的电阻图案；上蚀刻停止膜，与电阻图案间隔开，平行于电阻图案的顶表面延伸，并且包括第一金属；下蚀刻停止膜，在导电图案上，平行于第一层间绝缘膜的顶表面延伸，并且包括第二金属；以及在上蚀刻停止膜和下蚀刻停止膜上的第二层间绝缘膜，其中从第二层间绝缘膜的顶表面到上蚀刻停止膜的顶表面的距离小于从第二层间绝缘膜的顶表面到下蚀刻停止膜的顶表面的距离。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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