[发明专利]自支撑石墨烯二氧化锰纳米线复合薄膜电极及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202010685518.9 申请日: 2020-07-16
公开(公告)号: CN111732095B 公开(公告)日: 2021-12-21
发明(设计)人: 李年;夏松敏;陈杰;鞠宝钢 申请(专利权)人: 苏州碳素集电新材料有限公司
主分类号: C01B32/19 分类号: C01B32/19;C01G45/02;H01G11/36;H01G11/46;H01G11/86;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 合肥市泽信专利代理事务所(普通合伙) 34144 代理人: 方荣肖
地址: 215123 江苏省苏州市苏州*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种自支撑石墨烯二氧化锰纳米线复合薄膜电极及其制备方法。该制备方法包括:在工作电极和对电极之间施加电压一,使石墨箔膨胀,施加电压二使石墨烯剥离获得石墨烯薄片,然后多次洗涤和超声清洗,最后烘干以获得电化学剥离石墨烯;先将高锰酸钾与过硫酸钾溶解获得混合溶液,再进行水热反应,最后对产物清洗干燥后获得二氧化锰纳米线;先将电化学剥离石墨烯分散在溶剂中获得石墨烯溶液,再将二氧化锰纳米线分散在石墨烯溶液中获得混合液,然后抽滤去除溶剂获得复合膜,最后对复合膜干燥处理获得复合薄膜。本发明工艺简单,产率较高,复合薄膜电极具有较高的质量比电容、较好的面积比电容和优异的循环稳定性,很具有应用前景。
搜索关键词: 支撑 石墨 二氧化锰 纳米 复合 薄膜 电极 及其 制备 方法
【主权项】:
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