[发明专利]一种N型单晶生长用半导体石墨热场在审

专利信息
申请号: 202010685917.5 申请日: 2020-07-16
公开(公告)号: CN111850676A 公开(公告)日: 2020-10-30
发明(设计)人: 武建军;张培林;柴利春;张作文;王志辉 申请(专利权)人: 大同新成新材料股份有限公司
主分类号: C30B15/00 分类号: C30B15/00;C30B29/06
代理公司: 太原荣信德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 14119 代理人: 杨凯;连慧敏
地址: 037002 *** 国省代码: 山西;14
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摘要: 发明公开了一种N型单晶生长用半导体石墨热场,包括石墨热场罐体和控制面板,所述石墨热场罐体内侧壁以及内侧的顶端和底端均设置有保温层,所述石墨热场罐体顶部一侧的中间位置处设置有进料仓,所述进料仓的一端延伸至石墨热场罐体的内部,所述进料仓内部的中间位置处分别设置有电磁隔离阀和称重装置,且称重装置位于电磁隔离阀的正上方,所述石墨热场罐体内侧壁的两端对称分别设置有加热板支架A和预热锅支架;本发明装置通过将晶体物料加入预热锅,当石英锅内的晶体加热分解后通过输出导管导出后,预热锅内的晶体进入石英锅内,从而实现了不间断的加热方式,提高了热场的使用效率。
搜索关键词: 一种 型单晶 生长 半导体 石墨
【主权项】:
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