[发明专利]半导体器件的制作方法及半导体器件在审
| 申请号： | 202010685965.4 | 申请日： | 2020-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN111725070A | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 葛薇薇 | 申请（专利权）人： | 杰华特微电子（杭州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/40 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;李镇江 |
| 地址： | 310030 浙江省杭州市西湖区三墩镇*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 公开了一种半导体器件的制作方法及半导体器件，其中，该半导体器件包括漂移区，在漂移区上设置有场板结构，可提高器件的击穿电压，场板结构位于栅极结构和漏端掺杂区之间，可以辅助耗尽漂移区，降低比导通电阻，其中，该场板结构与栅极结构的层结构相同，在制作中可以共用一块掩膜版刻蚀相应的层结构，一同获得栅极结构和场板结构，降低了场板技术的应用成本。本发明的半导体器件的制作方法包括在制作完漂移区的半导体器件上依次制作氧化层和多晶硅层，并采用第二掩膜版刻蚀氧化层和多晶硅层，一同获得栅极结构和场板结构，无需为制作场板结构额外消耗掩模版，降低了半导体器件应用场板技术的应用成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
