[发明专利]NAND闪存的擦写能力测试方法、装置、设备及介质在审

专利信息
申请号: 202010686289.2 申请日: 2020-07-16
公开(公告)号: CN111833948A 公开(公告)日: 2020-10-27
发明(设计)人: 王敏;张闯;孙颉 申请(专利权)人: 浪潮(北京)电子信息产业有限公司
主分类号: G11C16/16 分类号: G11C16/16;G11C29/10
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 刘翠香
地址: 100085 北京市海*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 本申请公开了一种NAND闪存的擦写能力测试方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质,该方法包括:确定NAND闪存中参加擦写能力测试的块分组信息,块分组信息包括分组总数以及各分组的块总数;根据各分组的块总数分别确定各分组包含的块的编号;根据NAND闪存的块擦写承受阈值,分别为各分组确定一一对应的目标擦写次数;目标擦写次数大于块擦写承受阈值的分组数量不小于预设数量;分别对各分组包含的块进行对应次数的擦写操作;分别生成与各目标擦写次数对应的擦写能力测试结果。本申请对不同分组的块进行不同次数的擦写和错误率统计,不仅保障了结果正确率,并且可获取NAND闪存的擦写能力特性,全面客观地进行擦写能力评估。
搜索关键词: nand 闪存 擦写 能力 测试 方法 装置 设备 介质
【主权项】:
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