[发明专利]NAND闪存的擦写能力测试方法、装置、设备及介质在审
申请号: | 202010686289.2 | 申请日: | 2020-07-16 |
公开(公告)号: | CN111833948A | 公开(公告)日: | 2020-10-27 |
发明(设计)人: | 王敏;张闯;孙颉 | 申请(专利权)人: | 浪潮(北京)电子信息产业有限公司 |
主分类号: | G11C16/16 | 分类号: | G11C16/16;G11C29/10 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 刘翠香 |
地址: | 100085 北京市海*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本申请公开了一种NAND闪存的擦写能力测试方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质,该方法包括:确定NAND闪存中参加擦写能力测试的块分组信息,块分组信息包括分组总数以及各分组的块总数;根据各分组的块总数分别确定各分组包含的块的编号;根据NAND闪存的块擦写承受阈值,分别为各分组确定一一对应的目标擦写次数;目标擦写次数大于块擦写承受阈值的分组数量不小于预设数量;分别对各分组包含的块进行对应次数的擦写操作;分别生成与各目标擦写次数对应的擦写能力测试结果。本申请对不同分组的块进行不同次数的擦写和错误率统计,不仅保障了结果正确率,并且可获取NAND闪存的擦写能力特性,全面客观地进行擦写能力评估。 | ||
搜索关键词: | nand 闪存 擦写 能力 测试 方法 装置 设备 介质 | ||
【主权项】:
暂无信息
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