[发明专利]一种大功率电力电子器件晶圆的裂片方法在审
| 申请号： | 202010686412.0 | 申请日： | 2020-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN112002637A | 公开（公告）日： | 2020-11-27 |
| 发明（设计）人： | 田亮;杨霏;夏经华;查祎英;田丽欣 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院有限公司;国家电网有限公司;国网江苏省电力有限公司电力科学研究院 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 102209 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种大功率电力电子器件晶圆的裂片方法，包括：将所述晶圆正面的刻蚀区域采用等离子刻蚀的方式形成裂片凹槽，采用裂片机从所述晶圆背面对准所述裂片凹槽进行裂片，形成裂片道，基于所述裂片道对所述晶圆进行扩膜，本方法有效解决传统砂轮划片的划片道较宽、耗材损耗高、崩边不容易控制和激光划片导致的钝化层损伤、可靠性降低的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 大功率 电力 电子器件 裂片 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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