[发明专利]湿法刻蚀方法在审
| 申请号： | 202010686651.6 | 申请日： | 2020-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN111799168A | 公开（公告）日： | 2020-10-20 |
| 发明（设计）人： | 张泉;杨谊;王春伟 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种湿法刻蚀方法，通过设定各所述工艺腔的作业顺序；然后按设定的所述作业顺序，将加热后的刻蚀液通入各所述工艺腔内；以及，按设定的所述作业顺序，对各所述工艺腔内的所述半导体衬底执行刻蚀工艺。即通过设定各所述工艺腔的作业顺序，可以避免多个所述工艺腔一起开始作业，并可以将加热后的刻蚀液按设定的所述作业顺序通入各所述工艺腔内，由此，可以避免大批量的刻蚀液集中，从而可以避免大批量的刻蚀液集中加热，进而可以有效的管控所述刻蚀液的温度，提高后续刻蚀工艺的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 湿法 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
