[发明专利]一种微波等离子体设备用的基片台及设备有效
申请号: | 202010686863.4 | 申请日: | 2020-07-16 |
公开(公告)号: | CN111962048B | 公开(公告)日: | 2021-08-20 |
发明(设计)人: | 满卫东;龚闯;朱长征;吴剑波 | 申请(专利权)人: | 上海征世科技股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/511 | 分类号: | C23C16/511;C23C16/458;C23C16/27 |
代理公司: | 上海精晟知识产权代理有限公司 31253 | 代理人: | 周琼 |
地址: | 201799 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种微波等离子体设备中的基片台,用于承载薄片,所述基片台分上下两部分,基片台上半部分为一整体金属,其上表面为一圆环,中央中轴线处为一圆台,圆环与圆台之间有凹槽,圆台用来承载薄片,圆环高度高于圆台高度。基片台下半部为金属圆筒,里面埋有水冷凝管,有低熔点导热金属合金填充水冷凝管与金属圆筒之间,基片台上下半部分之间有一圆盘状高导热材料,该材料被下半部金属圆筒内低熔点导热金属固定在金属圆筒的上表面。由于微波激发的等离子体球是一个能量密度不均匀的球形体,导致对基片台上工件的热辐射量也是分布不均匀的,本基片台能改善微波等离子体的均匀分布性,同时减小基片台的热形变,使得所承载薄片的表面温度有良好的一致性。 | ||
搜索关键词: | 一种 微波 等离子体 备用 基片台 设备 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的