[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202010687169.4 | 申请日： | 2020-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN113948401A | 公开（公告）日： | 2022-01-18 |
| 发明（设计）人： | 储江 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/498 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例提供一种半导体结构及其形成方法，半导体结构的形成方法包括：提供基底，基底内具有凹槽，凹槽侧壁包括自凹槽底部向上延伸的第一子侧壁以及第二子侧壁，第一子侧壁位于第二子侧壁与凹槽底部之间；以低于预设值的流量向基底表面吹送第一前驱物，以使第一前驱物附着在基底顶部表面以及第二子侧壁；向基底表面吹送第二前驱物，以使第二前驱物与第一前驱物反应生成介质层；向基底表面交替吹送第一前驱物和第二前驱物，以形成多层介质层，直至填充满第二子侧壁围成的区域，第一子侧壁与介质层以及凹槽底部围成的区域构成空隙。本发明能够封堵凹槽顶部开口并构成空隙。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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