[发明专利]使用牺牲侧壁层制造薄半导体芯片的方法及其设备在审
| 申请号： | 202010687442.3 | 申请日： | 2020-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN112242371A | 公开（公告）日： | 2021-01-19 |
| 发明（设计）人： | L·埃拉尔;D·帕克;D·加尼 | 申请（专利权）人： | 意法半导体(鲁塞)公司;意法半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 董莘 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开的实施例涉及使用牺牲侧壁层制造薄半导体芯片的方法及其设备。本公开提供了设备和方法，其中半导体芯片具有减少的尺寸和厚度。通过利用牺牲性或牺牲硅晶片来制造设备。在牺牲硅晶片中形成凹进，其中半导体芯片被安装在凹进中。在牺牲硅晶片与芯片之间的空间被利用底层填充材料填充。使用任何适当的蚀刻处理，牺牲硅晶片和芯片的背侧被蚀刻，直至牺牲硅晶片被移除，并且芯片的厚度被减少。利用该处理，在一些实施例中，半导体芯片的整体尺寸可以被变薄到小于50μm。该超薄半导体芯片可以被并入制造柔性/可卷曲显示面板、可折叠移动设备、可穿戴显示器、或任何其他电气或电子设备中。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 牺牲 侧壁 制造 半导体 芯片 方法 及其 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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