[发明专利]制造光掩模组的方法和制造半导体器件的方法在审
申请号: | 202010687745.5 | 申请日: | 2020-07-16 |
公开(公告)号: | CN112731761A | 公开(公告)日: | 2021-04-30 |
发明(设计)人: | 安兴培;朴商五;丁成坤 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G03F1/70 | 分类号: | G03F1/70;H01L21/027 |
代理公司: | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人: | 李娜;赵莎 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种制造光掩模组的方法包括:准备掩模布局,所述掩模布局包括在第一区域中彼此间隔开的多个第一布局图案,其中,所述多个第一布局图案中的彼此相邻的三个第一布局图案的中心点之间的距离分别具有不同的值;将成对的第一布局图案进行分组,其中,在所述成对的第一布局图案中彼此相邻的两个第一布局图案的中心点之间的距离不具有所述不同的值中的最小值,并将所述掩模布局划分为至少两个掩模布局图案;以及形成包括至少两个光掩模的光掩模组,每个所述光掩模包括与被划分为所述至少两个掩模布局的所述掩模布局中的对应掩模布局中所包括的所述第一布局图案对应的掩模图案。 | ||
搜索关键词: | 制造 模组 方法 半导体器件 | ||
【主权项】:
暂无信息
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
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G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备