[发明专利]一种超高纯Cu或超高纯Cu合金靶材的电解抛光工艺有效
申请号: | 202010688599.8 | 申请日: | 2020-07-16 |
公开(公告)号: | CN111826706B | 公开(公告)日: | 2023-01-17 |
发明(设计)人: | 姚力军;边逸军;潘杰;王学泽;王少平 | 申请(专利权)人: | 宁波江丰电子材料股份有限公司 |
主分类号: | C25F3/22 | 分类号: | C25F3/22;G01N1/32;G01N23/2005;G01N23/20058;G01N23/203;G01N23/2055 |
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摘要: | 本发明公开了一种超高纯Cu或超高纯Cu合金靶材的电解抛光工艺。本发明的超高纯Cu或超高纯Cu合金靶材的电解抛光工艺,包括如下步骤:1)对超高纯Cu或超高纯Cu合金靶材待分析面进行研磨;2)对经步骤1)研磨后的待分析面采用电解抛光液进行电解抛光。本发明的超高纯Cu或超高纯Cu合金靶材的电解抛光工艺,适用于芯片用超高纯Cu及Cu合金靶材的晶粒尺寸、晶向、织构等晶体学分析,特别适用于细晶、超细晶超高纯Cu或超高纯Cu合金靶材,用于指导超高纯Cu或超高纯Cu合金靶材的工艺开发。 | ||
搜索关键词: | 一种 高纯 cu 合金 电解 抛光 工艺 | ||
【主权项】:
暂无信息
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